機械 問10電験三種 令和5年度 上期
52 / 80問令和5年度 上期上期
パワー半導体スイッチングデバイスとしては近年，主にIGBT とパワーMOSFET が用いられている。通常動作における両者の特性を比較した記述として，誤っているものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。
選択肢をえらぶと、答えと解説が出ます
選択肢をえらぶと、
ここに答えと解説が出ます
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正答 1解説
IGBTは構造上逆方向の電流を流せず、逆導通させるには逆並列ダイオードが必要。逆電圧が印加されれば逆方向電流が流れるとする(1)が誤り。
KEY POINT
IGBTは逆導通不可、MOSFETはボディダイオード「機械」の他の問題
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出典：令和5年度 上期 第三種電気主任技術者試験 機械 問10（一般財団法人 電気技術者試験センター）
一般財団法人 電気技術者試験センターが公表している過去問題です。試験センターの案内（教育目的など試験制度の意義に反しない限り、許諾および使用料は不要）に基づき、出典を明記して掲載しています。問題文・選択肢の内容は変えていません。文字で表す都合で、上付き・下付きの字は小さい字、分数は「分子/分母」の1行で表しています。図表は試験センターが公表した問題PDFのものです。解説は当サイトが独自に作成したもので、試験センターとは関係ありません。
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