問10応用情報技術者 平成30年度 春期

解説

正解は4。NAND型フラッシュメモリは、データの読出しも書込みもページという単位でまとめて行う。消去はさらに大きいブロック単位で行う。バイト単位で自由に読み書きする構造にはなっていないので、大容量の記憶に向き、SSDやメモリカードに使われる。

• 1は、書込みをバイト単位としている点が誤り。
• 2は、読出しも書込みもバイト単位としている点が誤り。バイト単位での読出しができるのはNOR型の特徴に近い。
• 3は、読出しをバイト単位としている点が誤り。

根拠：フラッシュメモリの構造（NAND型はページ単位の読み書きとブロック単位の消去、NOR型はバイト単位の読出しが可能）。