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カコモンノート›応用情報技術者›令和5年度 春期コンピュータシステム

問11応用情報技術者 令和5年度 春期

11 / 80問
令和5年度 春期2023年

フラッシュメモリにおけるウェアレベリングの説明として，適切なものはどれか。

選択肢をえらぶと、答えと解説が出ます

選択肢をえらぶと、
ここに答えと解説が出ます
正答 1

解説

正解は1。フラッシュメモリは同じブロックに書換えを繰り返せる回数に上限があり、特定のブロックに書込みが集中するとそこだけ早く劣化する。ウェアレベリングは、書込み先の物理ブロックを分散させて各ブロックの書換え回数をなるべく均等にし、全体の寿命を延ばす制御である。

  • 2は、1つのセルに蓄える電子の量を段階的に変えて複数ビットを記録するのは、多値セル（MLC、TLCなど）の技術である。
  • 3は、不良ブロックを検出して予備の正常なブロックに置き換えるのは、不良ブロック管理（代替処理）である。
  • 4は、ブロック単位で消去してから書き込むのは、フラッシュメモリの書換えの基本動作の説明である。

根拠：記憶装置の標準的な理解（フラッシュメモリの書換え回数の上限と寿命管理）

KEY POINT
ウェアレベリングは書込み位置を分散させ、ブロックごとの書換え回数を平準化して寿命を延ばす。
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出典：令和5年度 春期 応用情報技術者試験 午前 問11（独立行政法人 情報処理推進機構（IPA））
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