理論 問18（a）電験三種 令和5年度 下期
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図1 は，飽和領域で動作する接合形FET を用いた増幅回路を示し，図中のvi 並びにvo はそれぞれ，入力と出力の小信号交流電圧[V]を表す。また，図2 は，その増幅回路で使用するFET のゲート-ソース間電圧Vgs[V]に対するドレーン電流I d[mA]の特性を示している。抵抗RG=1 M Ω，RD=5 k Ω，RL=2.5 kΩ，直流電源電圧VDD=20 V とするとき，次の(a)及び(b)の問に答えよ。RDC2C¹ VDDRL vov Ri G RS CS図1FET の動作点が図2 の点P となる抵抗RS の値[k]として，最も近いものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。
選択肢をえらぶと、答えと解説が出ます
選択肢をえらぶと、
ここに答えと解説が出ます
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正答 4解説
自己バイアス回路ではゲート電流が流れずRGに電圧降下がないので、Vgs=−IdRSが成り立つ。図2の点PはVgs=−1.8V、Id=1.8mAだからRS=1.8V÷1.8mA=1kΩ。
KEY POINT
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出典：令和5年度 下期 第三種電気主任技術者試験 理論 問18a（一般財団法人 電気技術者試験センター）
一般財団法人 電気技術者試験センターが公表している過去問題です。試験センターの案内（教育目的など試験制度の意義に反しない限り、許諾および使用料は不要）に基づき、出典を明記して掲載しています。問題文・選択肢の内容は変えていません。文字で表す都合で、上付き・下付きの字は小さい字、分数は「分子/分母」の1行で表しています。図表は試験センターが公表した問題PDFのものです。解説は当サイトが独自に作成したもので、試験センターとは関係ありません。
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