カコモンノート

問21応用情報技術者 平成28年度 秋期

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平成28年度 秋期2016年

フラッシュメモリに関する記述として,適切なものはどれか。

選択肢をえらぶと、答えと解説が出ます

選択肢をえらぶと、
ここに答えと解説が出ます
正答 4

解説

正解は4。フラッシュメモリは電源を切っても内容が消えない不揮発性メモリで、書き換えるときは電気的に消去する。消去は1バイトずつではなく、ブロック単位でまとめて行う。USBメモリやSSD、SDカードに使われている。

  • 1は、CPUのキャッシュメモリに使われるのは高速なSRAMで、フラッシュメモリは書換えが遅く回数にも限りがある。
  • 2は、紫外線を当てて全内容を消去するのはUV-EPROMである。
  • 3は、記憶を保つために周期的な再書込み(リフレッシュ)が要るのはDRAMである。

根拠:半導体メモリの分類(SRAM・DRAM・EPROM・フラッシュメモリ)

KEY POINT
フラッシュメモリは電源を切っても内容が残る不揮発性メモリで、ブロック単位で電気的に消去して書き換える。
出典:平成28年度 秋期 応用情報技術者試験 午前 問21(独立行政法人 情報処理推進機構(IPA))
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