問10応用情報技術者 平成30年度 秋期

解説

正解は2。相変化メモリ（PCM、PRAM）は、カルコゲナイドなどの材料を電流の熱で結晶状態と非結晶（アモルファス）状態に切り替え、両者の電気抵抗の違いで0と1を記憶する。電源を切っても状態は保たれる不揮発性メモリで、書換えもできる。

• 1は、一度だけ書き込めるのはPROM（ワンタイムROM）。相変化メモリは繰り返し書き換えられる。
• 3は、フリップフロップで記憶する揮発性メモリはSRAM。
• 4は、コンデンサの電荷で記憶し、リフレッシュが要る揮発性メモリはDRAM。

根拠：半導体メモリの記憶方式（SRAM、DRAM、PROM、相変化メモリ）。