理論 問18（b）電験三種 令和4年度 上期

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図1，図2 及び図3 は，トランジスタ増幅器のバイアス回路を示す。次の(a)及び(b)の問に答えよ。 ただし，VCC は電源電圧，VB はベース電圧，IB はベース電流，IC はコレクタ電流，IE はエミッタ電流，R, RB, RC 及び RE は抵抗を示す。 次の文章ａ，ｂ及びｃは，それぞれのバイアス回路における周囲温度の変化と電流IC との関係について述べたものである。ただし，hFEは直流電流増幅率を表す。ａ 温度上昇によりhFEが増加するとIC が増加し，バイアス安定度が悪いバイアス回路の図は (ア) である。ｂ hFEの変化によりIC が増加しようとすると，VB はほぼ一定であるからVBEが減少するので，IC やIE の増加を妨げるように働く。IC の変化の割合が比較的低く，バイアス安定度が良いものの，電力損失が大きいバイアス回路の図は (イ) である。ｃ hFEの変化によりIC が増加しようとすると，RC の電圧降下も増加することでコレクタ・エミッタ間の電圧VCEが低下する。これによりR の電圧が減少してIB が減少するので，IC の増加が抑えられるバイアス回路の図は (ウ)である。上記の記述中の空白箇所(ア)～(ウ)に当てはまる組合せとして，正しいものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

1. 1図 1／図 2／図 3×
2. 2図 2／図 3／図 1×
3. 3図 3／図 1／図 2×
4. 4図 1／図 3／図 2○
5. 5図 2／図 1／図 3×

選択肢をえらぶと、答えと解説が出ます