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理論 問11電験三種 令和4年度 上期

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令和4年度 上期上期

次の文章は，電界効果トランジスタ(FET)に関する記述である。図は，n チャネル接合形FET の断面を示した模式図である。ドレーン(D)電極に電圧VDSを加え，ソース(S)電極を接地すると，n チャネルの (ア) キャリヤが移動してドレーン電流I Dが流れる。ゲート(G)電極に逆方向電圧VGSを加えると，pn 接合付近に空乏層が形成されてn チャネルの幅が (イ) し，ドレーン電流I Dが (ウ) する。このことからFET は (エ) 制御形の素子である。上記の記述中の空白箇所(ア)～(エ)に当てはまる組合せとして，正しいものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

この問題の図
問題に添えられた図。出典は下に書いています。

選択肢をえらぶと、答えと解説が出ます

選択肢をえらぶと、
ここに答えと解説が出ます
正答 5

解説

nチャネルを流れるのは多数キャリヤの電子。ゲートに逆方向電圧を加えると空乏層が広がってチャネル幅が減少しドレーン電流も減少するので，FETは電圧制御形の素子である。

KEY POINT
FETは多数キャリヤ走行の電圧制御形素子
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出典：令和4年度 上期 第三種電気主任技術者試験 理論 問11（一般財団法人 電気技術者試験センター）
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